محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • investigation of trap states in mid-wavelength infrared type ii superlattices using time-resolved photoluminescence

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 965
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     time-resolved photoluminescence (trpl) spectroscopy is used to study the minority-carrier lifetime in mid-wavelength infrared, n-type, inas/ga1−x in x sb type ii superlattices (t2sls) and investigate the recombination mechanisms and trap states that currently limit their performance. observation of multiple exponential decays in the intensity-dependent trpl data indicates trap saturation due to the filling then emptying of trap states and different shockley–read–hall (srh) lifetimes for minority and majority carriers, with τ maj (τ n0) ≫ τ min (τ p0). simulation of the photoluminescence transient captures the qualitative behavior of the trpl data as a function of temperature and excess carrier density. a trap state native to ga1−x in x sb is identified from the low-injection temperature-dependent trpl data and found to be located below the intrinsic fermi level of the superlattice, approximately 60 ± 15 mev above the valence-band maximum. low-temperature trpl data show a variation of the minority-carrier srh lifetime, τ p0, over a set of inas/ga1−x in x sb t2sls, where τ p0increases as x is varied from 0.04 to 0.065 and the relative layer thickness of ga1−x in x sb is increased by 31%.
     

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها