• طراحی و شبیه سازی سنسور فشار تشدیدی میکروالکترومکانیکی سه غشایی

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1395/11/05
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1395/11/05
    • تعداد بازدید: 437
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -

    در این مقاله یک سنسور فشار تشدیدی سه غشایی که در مُد موجی ارتعاش می کند گزارش می شود. این سنسور از جنس سیلیکون بوده و براساس تکنولوژی mems طراحی شده است. مُد موجی نسبت به اعمال فشار حساس بوده و براساس فشار اعمالی به آن فرکانس ارتعاش اش جابجا می شود. ابعاد کلی ساختار سنسور سه غشایی400 μm×20 μm×20 μm ، ابعاد سه غشاء200μm×2 μm ×20 μm  و ابعاد تیر نگهدارنده 20μm × 1μm ×1 μm  در نظر گرفته شده است. میزان جابجایی فرکانسی برای سه غشایی بدون تیر نگهدارنده برای مُد دهم از 5.0 مگا هرتز کمتر می باشد. در فرکانس تشدید101 mhz  سنسور سه غشایی بدون تیر نگهدارنده، دوغشاء کناری جابجایی برابر2/8 mhz  و غشاء وسط3/4 mhz  جابجایی فرکانسی تحت اعمال فشار دارد.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم