• مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند با مواد کانال همگون و ناهمگون (ingap ,inp, inga/ inp)

    نویسندگان :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1401/02/20
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1401/03/24
    • تعداد بازدید: 102
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: 02171053833

    مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند با مواد کانال همگون و ناهمگون (ingap ,inp, inga/ inp)

    جریان حالت خاموش، چالش اساسی ترانزیستورهای بدون پیوند است. با انتخاب ماده کانال به صورت ساختار ناهمگون، شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا می توان جریان حالت خاموش را کاهش داد به نحوی که جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا نکند. از این جهت در این تحقیق ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد ناهمگون inp/ingap درمقابل ترانزیستورهای با کانال همگون inp و ingap معرفی شده و برای شبیه سازی ترانزیستورها از معادلات تابع گرین غیر تعادلی استفاده شده است.

    نتایج نشان می دهد، ترانزیستور بدون پیوند با ساختار کانال ناهمگون inp/ingap دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش است. برای ترانزیستور بدون پیوند با کانال ناهمگون مقادیر جریان حالت خاموش، شیب زیر آستانه، دیبل، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش محاسبه و با کانال همگون مقایسه شده و مقادیر این مشخصات در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است با 3.38×108 و 9.17×6-10 a و 7.7mv/v و 60.2mv/dec و 1.73×14-10 a

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم