همایش ، رویداد ، ژورنال
اینستاگرام تی پی بین
حوزه های تحت پوشش رویداد
  • dark current modeling of inp based swir and mwir ingaas/gaassb type-ii mqw photodiodes

    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 1080
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
    this paper reports the dark current characteristics of swir and mwir p–i–n photodiodes with type-ii ingaas/gaassb multiple quantum wells as the absorption region. a bulk based model with the effective band gap of the type-ii quantum well structure has been used. we investigated the dark current contributing mechanisms that are limiting the electrical performance of these photodiodes. the quantitative simulation of the iv characteristics shows that the performance of ingaas/gaassb photodiodes is dominated by generation-recombination component at the temperature between 200 and 290 k for reverse biases below 5 v. trap-assisted tunneling current and direct tunneling current begin to dominate when the reverse bias is higher than 10 v. 

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها