محبوبترین نویسندگان :
نویسندگان مقالات پربازدید :
مجله مواد الکترونیکی 2013
جزئیات رویداد
اینستاگرام تی پی بین
همایش ، رویداد ، ژورنال

  • conduction- and valence-band energies in bulk inas1−x sb x and type ii inas1−x sb x /inas strained-layer superlattices

    نویسندگان :
    کلمات کلیدی :
    جزئیات بیشتر مقاله
    • تاریخ ارائه: 1392/07/24
    • تاریخ انتشار در تی پی بین: 1392/07/24
    • تعداد بازدید: 724
    • تعداد پرسش و پاسخ ها: 0
    • شماره تماس دبیرخانه رویداد: -
     the energy gaps were studied in two types of structures: unrelaxed bulk inas1−x sb x layers withx = 0.2 to 0.46 grown on metamorphic buffers and type ii inas1−x sb x /inas strained-layer superlattices (sls) with x = 0.225 to 0.296 in the temperature range from t = 13 k to 300 k. all structures were grown on gasb substrates. the longest wavelength of photoluminescence (pl) at low temperatures was observed from bulk inas0.56sb0.44 with a peak at 10.3 μm and full-width at half-maximum (fwhm) of 11 mev. the pl data for the bulk inas1−x sb x materials of various compositions imply an energy gap bowing parameter of 0.87 ev. a low-temperature pl peak at 9.1 μm with fwhm of 13 mev was observed for inas0.704sb0.296/inas sls. the pl spectrum of inas0.775sb0.225/inas sls under pulsed excitation revealed a second peak associated with recombination of electrons in the three-dimensional (3d) continuum with holes in the inas0.775sb0.225. this experiment determined the conduction-band offset in the inas0.775sb0.225/inas sls. the energies of the conduction and valence bands in unstrained inas1−x sb x and their bowing with respect to the sb composition are discussed.

سوال خود را در مورد این مقاله مطرح نمایید :

با انتخاب دکمه ثبت پرسش، موافقت خود را با قوانین انتشار محتوا در وبسایت تی پی بین اعلام می کنم
مقالات جدیدترین رویدادها
مقالات جدیدترین ژورنال ها